领先全球!中国首发8寸光电芯片晶圆,比美国、日本还先进
2024-06-01 【 字体:大 中 小 】
众所周知,目前在普通的硅芯片上,较先进的工艺采用的都是12寸晶圆,只有一些非常成熟的芯片,才使用8寸、6寸、4寸晶圆。
可以说,芯片工艺越先进,硅晶圆尺寸越大,因为这样浪费少,成本低。但硅晶圆尺寸越大,难度就越大,技术要求就越高。
不过,虽然普通的硅基晶圆已经发展到了12寸,但一些特殊材料的晶圆,目前很多还在4寸、6寸、8寸的阶段。
比如薄膜铌酸锂晶圆,目前半导体材料强国日本,以及美国,其实现的技术水平,也就处于6寸的水平。
薄膜铌酸锂晶圆是什么晶圆?它其实是光电芯片的材料之一,集成光电收发功能,在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域,有重要作用。
但铌酸锂材料脆性大,大尺寸制备非常困难,所以日本、美国才只有6寸水平,行业内一直在研究8寸晶圆的制备水平,看谁领先。
而近日,全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在湖北下线,说明中国在这项技术上更领先了。
此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆,为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术,按照说法,接下来会很快实现产业商用。
最近几年来,随着5G、大数据、AI等的发展,光电芯片得到了极大的关注,而铌酸锂因为其材料特性被认为是最理想的光子集成材料。
所以这次中国全球量产8寸铌酸锂晶圆,也意味着接下来,中国有望基于薄膜铌酸锂的大规模光电集成技术,引领行业变革。在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。
当然,目前8寸铌酸锂晶圆还只是从实验室下线,接下来要大规模量产,还需要一点时间,我们还需要谨慎乐观。但同时这件事背后,这也意味着,只要我们努力,在芯片产业上,一定会有各个点层面的的技术突破,而这些新的突破,会以点带面,形成一个整体,最终助力中国芯片产业腾飞,你觉得呢?
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